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IRF7304TR

IRF7304TR

僅供參考

型號 IRF7304TR
PNEDA編號 IRF7304TR
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7304TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7304TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7304TR, IRF7304TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 112.88 KB)
PDFIRF7304TR數據表 封面
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IRF7304TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds610pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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149A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

29600pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.12mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5035pF @ 15V

功率-最大

2.1W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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