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IRF7306QTRPBF

IRF7306QTRPBF

僅供參考

型號 IRF7306QTRPBF
PNEDA編號 IRF7306QTRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7306QTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7306QTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7306QTRPBF, IRF7306QTRPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 221.39 KB)
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IRF7306QTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds440pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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