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IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF

僅供參考

型號 IRF7309TRPBF
PNEDA編號 IRF7309TRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7309TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7309TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7309TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A, 3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 15V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

215pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.38nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22.6pF @ 15V

功率-最大

350mW

工作溫度

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