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IRF730ALPBF

IRF730ALPBF

僅供參考

型號 IRF730ALPBF
PNEDA編號 IRF730ALPBF
描述 MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF730ALPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF730ALPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF730ALPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

175nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11323pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

333W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

96mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1040W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Ta), 37.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

864pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 37.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

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-

Vgs(最大)

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-

功耗(最大值)

540mW (Ta)

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