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IRF730STRL

IRF730STRL

僅供參考

型號 IRF730STRL
PNEDA編號 IRF730STRL
描述 MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF730STRL資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF730STRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF730STRL, IRF730STRL數據表 (總頁數: 9, 大小: 169.18 KB)
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IRF730STRL規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

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8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta), 15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1335pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1293pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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