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IRF7343QTRPBF

IRF7343QTRPBF

僅供參考

型號 IRF7343QTRPBF
PNEDA編號 IRF7343QTRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7343QTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7343QTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7343QTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A, 3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 15V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

99A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

781W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 10V

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