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IRF7350TRPBF

IRF7350TRPBF

僅供參考

型號 IRF7350TRPBF
PNEDA編號 IRF7350TRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7350TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7350TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7350TRPBF, IRF7350TRPBF數據表 (總頁數: 16, 大小: 308.53 KB)
PDFIRF7350TRPBF數據表 封面
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IRF7350TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.1A, 1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds380pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 16V

功率-最大

600mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 25V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

83pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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