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IRF740LCPBF

IRF740LCPBF

僅供參考

型號 IRF740LCPBF
PNEDA編號 IRF740LCPBF
描述 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 9,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF740LCPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF740LCPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF740LCPBF, IRF740LCPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 272.35 KB)
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IRF740LCPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

81.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 58.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.92mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9900pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

446W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

975mOhm @ 1.7A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 630µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

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