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IRF7421D1TR

IRF7421D1TR

僅供參考

型號 IRF7421D1TR
PNEDA編號 IRF7421D1TR
描述 MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7421D1TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7421D1TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7421D1TR, IRF7421D1TR數據表 (總頁數: 8, 大小: 176.67 KB)
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IRF7421D1TR規格

制造商Infineon Technologies
系列FETKY™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds510pF @ 25V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 28.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.85mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6250pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓(Vdss)

1.2kV

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V, 18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

182mOhm @ 6A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 18V

Vgs(最大)

+23V, -7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

454pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 400A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

714W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3P

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

512pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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功耗(最大值)

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