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IRF7467

IRF7467

僅供參考

型號 IRF7467
PNEDA編號 IRF7467
描述 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7467資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7467
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7467, IRF7467數據表 (總頁數: 8, 大小: 114.5 KB)
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IRF7467規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2530pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3459pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.33mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8000F @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

5V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.45mOhm @ 60A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

660mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

543pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

400mV @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

625mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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供應商設備包裝

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