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IRF7470TRPBF

IRF7470TRPBF

僅供參考

型號 IRF7470TRPBF
PNEDA編號 IRF7470TRPBF
描述 MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 211,404
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7470TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7470TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7470TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3430pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 17.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

37.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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