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IRF7492PBF

IRF7492PBF

僅供參考

型號 IRF7492PBF
PNEDA編號 IRF7492PBF
描述 MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7492PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7492PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7492PBF, IRF7492PBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 183.89 KB)
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IRF7492PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs79mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs59nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1820pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3468pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

107mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

526pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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