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IRF7509TR

IRF7509TR

僅供參考

型號 IRF7509TR
PNEDA編號 IRF7509TR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7509TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7509TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF7509TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A, 2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds210pF @ 25V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝Micro8™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

725pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A, 1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

155pF @ 20V

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