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IRF7555TR

IRF7555TR

僅供參考

型號 IRF7555TR
PNEDA編號 IRF7555TR
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7555TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7555TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7555TR, IRF7555TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 71.58 KB)
PDFIRF7555TR數據表 封面
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IRF7555TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1066pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝Micro8™

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

540nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 100V

功率-最大

462W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

4-WLCSP (1.57x1.57)

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

422pF @ 15V

功率-最大

850mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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