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IRF7703TR

IRF7703TR

僅供參考

型號 IRF7703TR
PNEDA編號 IRF7703TR
描述 MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7703TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7703TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7703TR, IRF7703TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 210.06 KB)
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IRF7703TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5220pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSSOP
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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13.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2380pF @ 10V

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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