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IRF7756TRPBF

IRF7756TRPBF

僅供參考

型號 IRF7756TRPBF
PNEDA編號 IRF7756TRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7756TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7756TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7756TRPBF, IRF7756TRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 236.68 KB)
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IRF7756TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160mA, 140mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.46nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.4mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

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