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IRF7805TRPBF

IRF7805TRPBF

僅供參考

型號 IRF7805TRPBF
PNEDA編號 IRF7805TRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7805TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7805TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7805TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2605pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

335W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

111W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

940mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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2V @ 250µA

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