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IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF

僅供參考

型號 IRF7832TRPBF
PNEDA編號 IRF7832TRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 146,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7832TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7832TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7832TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.32V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs51nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4310pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-HSOP

包裝/箱

8-PowerTDFN

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2994pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

234mOhm @ 10A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 3.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

76W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

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