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IRF7901D1

IRF7901D1

僅供參考

型號 IRF7901D1
PNEDA編號 IRF7901D1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 3 - 三月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7901D1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7901D1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7901D1, IRF7901D1數據表 (總頁數: 9, 大小: 426.72 KB)
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IRF7901D1規格

制造商Infineon Technologies
系列FETKY™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds780pF @ 16V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68.6nC @ 4V

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 46A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 5.85mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1092pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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