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IRF820STRLPBF

IRF820STRLPBF

僅供參考

型號 IRF820STRLPBF
PNEDA編號 IRF820STRLPBF
描述 MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 16,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF820STRLPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF820STRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF820STRLPBF, IRF820STRLPBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 178.44 KB)
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IRF820STRLPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds360pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84.5mOhm @ 20A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.4nC @ 15V

Vgs(最大)

+18V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 600V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Vishay Siliconix

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 8.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 3A, 8.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA, 3V

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

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