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IRF8252TRPBF-1

IRF8252TRPBF-1

僅供參考

型號 IRF8252TRPBF-1
PNEDA編號 IRF8252TRPBF-1
描述 MOSFET N-CH 25V 25A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF8252TRPBF-1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF8252TRPBF-1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF8252TRPBF-1規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs53nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5305pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.06nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

409pF @ 15V

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