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IRF840

IRF840

僅供參考

型號 IRF840
PNEDA編號 IRF840_243
描述 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF840資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF840
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF840, IRF840數據表 (總頁數: 8, 大小: 281.89 KB)
PDFIRF840數據表 封面
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IRF840規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs63nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

146nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3247pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4.6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4075pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

337W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

480nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

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功耗(最大值)

520W (Tc)

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-

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FET功能

-

功耗(最大值)

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