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IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF

僅供參考

型號 IRF8513TRPBF
PNEDA編號 IRF8513TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF8513TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF8513TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF8513TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A, 11A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds766pF @ 15V
功率-最大1.5W, 2.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

317A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

448nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27400pF @ 25V

功率-最大

1136W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1790.8pF @ 20V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

功率-最大

50W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

276mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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