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IRF9310TRPBF

IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF

僅供參考

型號 IRF9310TRPBF
PNEDA編號 IRF9310TRPBF
描述 MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9310TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9310TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF9310TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs165nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5250pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6680pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

272W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

139mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Ta), 66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

771pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.64W (Ta), 33.8W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

800mW (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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