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IRF9332TRPBF

IRF9332TRPBF

僅供參考

型號 IRF9332TRPBF
PNEDA編號 IRF9332TRPBF
描述 MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 15 - 十一月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9332TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9332TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF9332TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1270pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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