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IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF

僅供參考

型號 IRF9389TRPBF
PNEDA編號 IRF9389TRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 578,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9389TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9389TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF9389TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.8A, 4.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds398pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

528pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 16V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

810mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

625pF @ 20V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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