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IRF9520NSPBF

IRF9520NSPBF

僅供參考

型號 IRF9520NSPBF
PNEDA編號 IRF9520NSPBF
描述 MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9520NSPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9520NSPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF9520NSPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 15V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9Ohm @ 1.35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 16A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8676pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

工作溫度

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