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IRF9956

IRF9956

僅供參考

型號 IRF9956
PNEDA編號 IRF9956
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9956資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9956
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF9956, IRF9956數據表 (總頁數: 7, 大小: 161.7 KB)
PDFIRF9956TR數據表 封面
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IRF9956規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA (Tc), 460mA (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28pF @ 15V, 21pF @ 15V

功率-最大

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

129pF @ 15V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

功率-最大

48W

工作溫度

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安裝類型

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