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IRF9Z14STRL

IRF9Z14STRL

僅供參考

型號 IRF9Z14STRL
PNEDA編號 IRF9Z14STRL
描述 MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9Z14STRL資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9Z14STRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF9Z14STRL, IRF9Z14STRL數據表 (總頁數: 11, 大小: 228.64 KB)
PDFIRF9Z14STRR數據表 封面
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IRF9Z14STRL規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 43W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 8V

FET功能

-

功耗(最大值)

290mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1275pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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