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IRFB16N50K

IRFB16N50K

僅供參考

型號 IRFB16N50K
PNEDA編號 IRFB16N50K
描述 MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFB16N50K資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFB16N50K
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRFB16N50K規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs89nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2210pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)280W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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技術

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1810pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

79A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 79A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

206nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

595pF @ 25V

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功耗(最大值)

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