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IRFBC20

IRFBC20

僅供參考

型號 IRFBC20
PNEDA編號 IRFBC20
描述 MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 4 - 二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFBC20資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFBC20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFBC20, IRFBC20數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,645.91 KB)
PDFIRFBC20數據表 封面
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IRFBC20規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 34.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 30V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

785pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 2.3mA

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