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IRFC430

IRFC430

僅供參考

型號 IRFC430
PNEDA編號 IRFC430
描述 MOSFET N-CH 500V TO PKG
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFC430資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFC430
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFC430規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

550nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

410mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

295pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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18.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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Vgs(最大)

±25V

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FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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