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IRFD9210

IRFD9210

僅供參考

型號 IRFD9210
PNEDA編號 IRFD9210
描述 MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFD9210資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFD9210
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFD9210, IRFD9210數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,557.22 KB)
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IRFD9210規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds170pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱4-DIP (0.300", 7.62mm)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2542pF @ 12V

FET功能

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1287pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 66A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 25V

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功耗(最大值)

50W (Tc)

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