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IRFH4210DTRPBF

IRFH4210DTRPBF

僅供參考

型號 IRFH4210DTRPBF
PNEDA編號 IRFH4210DTRPBF
描述 MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFH4210DTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFH4210DTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFH4210DTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs77nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4812pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)3.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PQFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7085pF @ 50V

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功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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