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IRFH5406TRPBF

IRFH5406TRPBF

僅供參考

型號 IRFH5406TRPBF
PNEDA編號 IRFH5406TRPBF
描述 MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFH5406TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFH5406TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFH5406TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1256pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.6W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Ta), 352A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

181nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12168pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

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