IRFHM8363TR2PBF
僅供參考
| 型號 | IRFHM8363TR2PBF |
| PNEDA編號 | IRFHM8363TR2PBF |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,596 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸) |
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IRFHM8363TR2PBF資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | IRFHM8363TR2PBF |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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IRFHM8363TR2PBF規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | HEXFET® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 11A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.35V @ 25µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1165pF @ 10V |
| 功率-最大 | 2.7W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-PowerVDFN |
| 供應商設備包裝 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
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