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IRFHS9351TR2PBF

IRFHS9351TR2PBF

僅供參考

型號 IRFHS9351TR2PBF
PNEDA編號 IRFHS9351TR2PBF
描述 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFHS9351TR2PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFHS9351TR2PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRFHS9351TR2PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds160pF @ 25V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-PowerVDFN
供應商設備包裝6-PQFN Dual (2x2)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

142mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.26V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.43nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 10V

功率-最大

220mW

工作溫度

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