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IRFL014NTRPBF

IRFL014NTRPBF

僅供參考

型號 IRFL014NTRPBF
PNEDA編號 IRFL014NTRPBF
描述 MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 18,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFL014NTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFL014NTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFL014NTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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30V

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30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 25V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

84A (Ta), 200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.62mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

325nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.3W (Ta), 208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

144nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

817pF @ 15V

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