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IRFL4315PBF

IRFL4315PBF

僅供參考

型號 IRFL4315PBF
PNEDA編號 IRFL4315PBF
描述 MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFL4315PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFL4315PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFL4315PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs185mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 2.56mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2940pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

798pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.46W (Ta)

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