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IRFP27N60KPBF

IRFP27N60KPBF

僅供參考

型號 IRFP27N60KPBF
PNEDA編號 IRFP27N60KPBF
描述 MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 90,954
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFP27N60KPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFP27N60KPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFP27N60KPBF, IRFP27N60KPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 186.35 KB)
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IRFP27N60KPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs180nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4660pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Ta), 300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.85mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

219nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16590pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.33W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 260µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

902pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

95W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 34.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 34.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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功耗(最大值)

178W (Tc)

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