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IRFP3077PBF

IRFP3077PBF

僅供參考

型號 IRFP3077PBF
PNEDA編號 IRFP3077PBF
描述 MOSFET N-CH 75V 120A TO-247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 15,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 12 - 一月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFP3077PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFP3077PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFP3077PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs220nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9400pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)340W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AC
包裝/箱TO-247-3

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30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1258pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 21W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 18A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1470pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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