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IRFP4227PBF

IRFP4227PBF

僅供參考

型號 IRFP4227PBF
PNEDA編號 IRFP4227PBF
描述 MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 9,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFP4227PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFP4227PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFP4227PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)65A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs98nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)330W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AC
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta), 250A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6680pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 160W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

504nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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