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IRFP4468PBF

IRFP4468PBF

僅供參考

型號 IRFP4468PBF
PNEDA編號 IRFP4468PBF
描述 MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 30,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFP4468PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFP4468PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFP4468PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs540nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds19860pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AC
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

27.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

290nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1040W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264 [L]

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

IRFH5250DTRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6115pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 13µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1520pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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