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IRFR13N20DCTRLP

IRFR13N20DCTRLP

僅供參考

型號 IRFR13N20DCTRLP
PNEDA編號 IRFR13N20DCTRLP
描述 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 27 - 三月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR13N20DCTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR13N20DCTRLP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR13N20DCTRLP, IRFR13N20DCTRLP數據表 (總頁數: 11, 大小: 131.39 KB)
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IRFR13N20DCTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs235mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds830pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2025pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

215mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 260mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15.3pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1980pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 142W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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52mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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51nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 127W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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