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IRFR220TRRPBF

IRFR220TRRPBF

僅供參考

型號 IRFR220TRRPBF
PNEDA編號 IRFR220TRRPBF
描述 MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 28,908
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR220TRRPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR220TRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR220TRRPBF, IRFR220TRRPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 791.02 KB)
PDFIRFR220PBF數據表 封面
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IRFR220TRRPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds260pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta), 3.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

650nC @ 10V

Vgs(最大)

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