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IRFR2905ZTR

IRFR2905ZTR

僅供參考

型號 IRFR2905ZTR
PNEDA編號 IRFR2905ZTR
描述 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR2905ZTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR2905ZTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR2905ZTR, IRFR2905ZTR數據表 (總頁數: 12, 大小: 215.43 KB)
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IRFR2905ZTR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1380pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

238W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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23A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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