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IRFR3303TRPBF

IRFR3303TRPBF

僅供參考

型號 IRFR3303TRPBF
PNEDA編號 IRFR3303TRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 42,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3303TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3303TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR3303TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)33A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs31mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

363pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.75mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

287nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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-

FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1925pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

346nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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4V @ 250µA

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

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