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IRFR3707ZTRLPBF

IRFR3707ZTRLPBF

僅供參考

型號 IRFR3707ZTRLPBF
PNEDA編號 IRFR3707ZTRLPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3707ZTRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3707ZTRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR3707ZTRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)56A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.25V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1150pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1515pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

864pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

820mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

141nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8061pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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