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IRFR3711ZCTRPBF

IRFR3711ZCTRPBF

僅供參考

型號 IRFR3711ZCTRPBF
PNEDA編號 IRFR3711ZCTRPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3711ZCTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3711ZCTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR3711ZCTRPBF, IRFR3711ZCTRPBF數據表 (總頁數: 12, 大小: 297.32 KB)
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IRFR3711ZCTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)93A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.45V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2160pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

110W (Tc)

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240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tj)

工作溫度

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