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IRFR9214TRR

IRFR9214TRR

僅供參考

型號 IRFR9214TRR
PNEDA編號 IRFR9214TRR
描述 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR9214TRR資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR9214TRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR9214TRR, IRFR9214TRR數據表 (總頁數: 11, 大小: 242.67 KB)
PDFIRFR9214TRR數據表 封面
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IRFR9214TRR規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds220pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

590A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2000nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2200W

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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Module

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

670mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

565W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

432pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

功耗(最大值)

1W (Ta)

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